MOS는 metal-oxide-semiconductor의 약자이다. 커패시터는 반도체 바디(semiconductor body)라고도 하는 기판과 실리콘 산화막(SiO2)과 같은 절연막, 게이트(gate)라고 부르는 금속 단자로 구성된다. 얇은 산화막의 두께는 약 1.5nm 정도이다. MOS 커패시터는 단일 소자 자체로 널리 쓰이지는 않고 MOS 트랜지스터의 일부를 형성하여 기능하게 되는데, MOS 트렌지스터는 현재까지 가장 널리 사용되는 반도체 소자이다. MOS 트랜지스터는 양측에 PN 접합이 연결된 MOS 커패시터의 구조를 갖는다 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압 에너지 밴드 다이어그램을 그릴 때에는 실리콘 산화막을 중간에 두고 게이트와 바디를 각각 왼쪽과 오른쪽에 그리는 것이 일반적이다. 아래 그림과..